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塑封半导体器件THB尝试

作者: 收集 编辑: 瑞凯仪器 来历: 收集 宣布日期: 2021.08.19
    THB 尝试是查核塑封器件耐湿性经常使用的加快尝试方式,普通在低温高湿尝试箱中停止。经由过程进步情况温度及绝对湿度,使尝试情况的水汽分压增添,加大了尝试情况与塑封半导体器件样品外部的水蒸气压力差,进而加重水汽分散和接收:同时施加偏置电压为加快金属腐蚀供给了须要的电解电池。加快金属腐蚀的缘由另有:塑封器件所用差别资料的热失配使封装体内发生裂缝加快水汽的侵入;封装资料中的杂质净化等。
    为获得较好的加快性,THB尝试对差别功率的塑封半导体器件施加差别电压偏置:小功率塑封半导体器件,施加稳态电压偏置;人功率塑封半导体器件,施加间歇电压偏置。由于大功率器件在“有偏置(bias-on)”时,芯片发烧对芯片四周的模塑化合物有烘干感化,若延续施加稳态电压偏置,则模塑化合物中不会存在水汽。是以,人功率器什在间歇偏置电压下“无偏置(bias-off)”时模塑化合物接收水汽;“有编置(bias-on)”时,封装体内水汽在也偏置作:用下发生离子迁徙激起火效。表1是JEDEC规范JESD22-A101-B(稳态THB寿命试!验〉中施加电压偏置的准绳。

    JESD22-A101-B规范中指出,大大都大功率塑封半导体器件尝试样品以1小时加偏置,1小时不加偏置即能获得较好加快性。

塑封半导体器件

【相干保举】
检查概况 + 上一条 高压蒸煮尝试(PCT )
检查概况 + 下一条 JESD22-A118B无偏压HAST加快水汽抵当性测试规范

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